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Электронные ловушки на поверхности полупроводников
Бедный Б.И.
поверхности
полупроводника
ловушек
ловушки
электронов
барьера
вблизи
рис
поверхностные
электроны
выхода
gaas
заряда
поверхностных
полупроводник
полупроводниковых
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кристалла
металла
объем
уровня
атомов
мдп
многих
пассивации
приводит
высоты
дырки
изгиба
контакта
объеме
плотность
поверхностной
поля
проводимости
уровни
å.à
åöñçõâ
èéçöêïçéëíà
ϕm
Année:
1998
Langue:
russian
Fichier:
PDF, 193 KB
Vos balises:
0
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russian, 1998
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